실리카 벽돌

실리카 벽돌은 산화 실리콘 산화물 (SIO2)을 주요 구성 요소로서 내화성 생성물이다. 열린 용광로 용 실리카 벽돌과 코크스 오븐 용 실리카 벽돌.

성능 실리카 벽돌은 하중 하에서 굴절성이 높으며, 이는 내화성과는 다른 30 ~ 50도이며, 다른 내화성 재료가없는 특징입니다. 가열 동안 결정 형질 전환으로 인한 부피 팽창은 600도 전에 집중되므로 열 충격 저항은 저온 단계에서 열악하지만 고온 단계에서는 매우 우수합니다. 제품의 밀도는 용광로의 하중을 줄일 수 있습니다. 실리카 벽돌 원료는 널리 분포되어 있으며 쉽게 배출됩니다. 벽돌은 광석 드레싱없이 만들 수 있으므로 가격은 상대적으로 낮습니다.

 

실리카 브릭 제조 공정 : 깨끗한 실리카 또는 쿼츠 라이트는 3mm 미만으로 분쇄 된 다음 Ball Mill 또는 기타 미세한 연삭 장비에 의해 0. 088mm 미만의 미세 분말로 접지됩니다. 다양한 입자 크기의 원료는 제품 및 품질 요구 사항에 따라 합리적으로 등급이 매겨집니다. 발사 중 팽창을 줄이기 위해, 총액의 5% ~ 20%를 차지하는 폐기물 실리카 벽돌이 추가 될 수 있습니다.

석회 (일반적으로 석회 우유 형태로 첨가), 산화철 및 SIO2와 반응하여 고온에서 특정 액체 상을 형성 할 수있는 기타 미니저는 성분에 심각하게 영향을 미칩니다. 액체상은 석영의 트리 디 마이트로의 변형을 촉진하고 발사 중 팽창으로 인한 응력을 완화시켜 생성물의 균열을 줄일 수 있습니다. 상기 원료 및 미네랄 라이저는 습한 공장에서 혼합되며 결합제 황산염 펄프 폐기물 액체가 첨가된다. 혼합 진흙은 벽돌 곰팡이에 넣고 기계 나 손으로 벽돌 공백으로 만들어집니다. 브릭 블랭크는 터널 건조기 또는 챔버 건조기에서 건조되고 초기 온도는 7 0 정도가 아닙니다. 40kg보다 큰 벽돌 공란은 48 시간 이상 공기 중에 건조되어야합니다. 말린 벽돌의 수분 함량은 1%를 넘지 않으며 큰 벽돌의 수분 함량은 0.5%를 넘지 않습니다. 외관 및 단면 검사 후 터널 가마, 다운 드래프트 가마 또는 셔틀 가마에서 발사됩니다. 최대 발사 온도는 1380 ~ 1450 도로 원료의 석영 전환율과 제품의 품질 요구 사항에 따라 다릅니다. 발사는 핵심 과정이며 가열 곡선을 엄격하게 따라야합니다. 냉각 된 제품은 조각별로 검사해야합니다. 외관은 규칙적이어야하며, 용융 구멍 및 균열과 같은 치수 편차 및 표면 결함이 규정을 초과해서는 안됩니다.

제조 공정은 실리카 벽돌의 미네랄 조성을 결정합니다. 동일한 소성 시스템 하에서, 더 많은 미네랄 라이저와 더 미세한 입자가있는 제품에는 더 많은 트리 디미트 함량이 있으며, 이는 코크스 오븐 용 실리카 벽돌과 뜨거운 폭발 용광로의 실리카 벽돌에 적합합니다. 유리 가마를위한 실리카 벽돌에는 높은 SIO2 함량이 높고 미네랄 라이저 첨가가 적으므로 벽돌에는 더 많은 석영이 포함되어 있습니다.

실내 온도에서 실리카 벽돌의 주요 결정 미네랄 조성은 -트리 디미트, -크리 스토 볼 라이트 및 -쿼츠의 혼합물이다. 비율은 -Cristobalite 15%~ 6 0% -트리 디미티미이트 35%~ 80% -Quartz 0%~ 10%범위에 따라 다릅니다.

실리콘 벽돌은 주로 코크스 오븐, 고로 뜨거운 폭발로, 유리 가마에 사용되며 일부 국가는 여전히 철강 전기 용광로 덮개에 실리카 벽돌을 사용합니다.

실리콘 벽돌은 방수 창고에 보관해야하며 축축한 후 100도 아래로 천천히 건조 된 후에도 여전히 사용할 수 있습니다. 물 함유 실리카 벽돌의 강도는 동결에 의해 영향을받으며 다시 검사해야합니다. 용광로를 구축 할 때는 확장 조인트가 제조업체가 제공하는 선형 확장 속도에 따라 남겨 두어야합니다. 베이킹 및 주기적 사용을위한 온도 시간 가열 곡선은 특히 600도 이전에 더 강렬한 확장 단계에서 합리적으로 공식화되어야하며, 이는 엄격하게 제어되어야합니다.

규성 내화 된 재료의 미세 구조

실리카 벽돌은 트리 디미트, 크리스토 발리이트, 잔류 석영, 규산염, 유리 상 등의 다중 상 이기종 구조로 구성됩니다. 트리 디미트, 크리스토 발리이트, 규산염 및 유리상은 매트릭스 구조 단위를 구성합니다. 치열함 저온-트리 디미트는 종종 육각형 고온-트리 디미티드의 변형 후 의사-바디의 형태로 존재하거나 (10T6) 트윈 결합 표면을 갖는 "쐐기 모양"트윈 크리스탈을 형성한다. -트리 디 마이트의 부피 분율 및 직접 결합 속도는 트리 디 마이트의 정도 및 네트워크 구조의 연속성을 평가하기위한 정량적 파라미터이다.

Pseudowollastonite, 칼슘 철 파이 록센, 칼슘 철 올리 빈 및 Dicalcium silicate는 규산염 상을 구성하며, 이는 트리 디 마이트 네트워크의 공극이 분산되거나 농축된다. 고르지 않게 분포 된 철 산화물은 또한 -FE2O3 상 형태로 매트릭스에 나타날 수있다. 준 안정성 또는 안정적인 크리스토발 라이트, 잔류 석영 등은 입자 구조 단위를 구성합니다. 준 안정성 크리스토발 라이트는 870 ~ 1470도 사이의 -크리 스토 볼 라이트의 준 안정 상입니다. 단일 편광 시스템 하에서 균질 한 효과를 보여주고 X- 선 회절 스펙트럼에서 안정적인 크리스토발 라이트와 구별하기가 어렵다. -Quartz를 준 안정성 크리스토발 라이트로 변환의 초기 단계에서, 준 안정성 크리스토발 라이트는 연속적인 네트워크를 형성하여 잔류 석영을 고립 된 섬으로 분리합니다. 열 공정이 계속됨에 따라, 잔류 석영의 부피 분율은 입자 구조 장치에서 감소하거나 사라집니다. 입자의 가장자리에있는 갈색 반응 층은 유리 상, 트리 디미트 및 준 안정성 크리스토발 라이트로 구성되며, 매트릭스와 입자의 미네랄 라이저 사이의 상호 작용의 산물이다.

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